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STMicroelectronics STD11N60M2-EP

Name: STD11N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD11N60M2-EP
Price: 0.56052 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (205 reviews)

Número da peça MFG: STD11N60M2-EP

Quantidade disponível: 96430 Peças

Preço de referência: USD 0.56052

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: MDmesh™ M2-EP N-CHANNEL 600 V 0.550 OHM TYP.

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STD11N60M2-EP.pdf

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STD11N60M2-EP Especificações

Número da peça de fabricante	STD11N60M2-EP
Número da peça futura	FT-STD11N60M2-EP
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	MDmesh™ M2-EP
STD11N60M2-EP Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	7.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	595 mOhm @ 3.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	12.4nC @ 10V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	85W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DPAK
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD11N60M2-EP Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STD11N60M2-EP-FT

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