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STMicroelectronics STB7ANM60N

Name: STB7ANM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB7ANM60N
Price: 1.25664 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (591 reviews)

Número da peça MFG: STB7ANM60N

Quantidade disponível: 80520 Peças

Preço de referência: USD 1.25664

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II MOSFET N-CH 600V DPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STB7ANM60N.pdf

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STB7ANM60N Especificações

Número da peça de fabricante	STB7ANM60N
Número da peça futura	FT-STB7ANM60N
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
STB7ANM60N Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	363pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	45W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D2PAK
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB7ANM60N Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STB7ANM60N-FT

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