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STMicroelectronics STB34N50DM2AG

Número da peça MFG
STB34N50DM2AG
Quantidade disponível
22900 Peças
Preço de referência
USD 1.81104
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Data de envio
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fabricante
STMicroelectronics
Descrição breve
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 MOSFET N-CH 500V 26A
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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STB34N50DM2AG Especificações

Número da peça de fabricante STB34N50DM2AG
Número da peça futura FT-STB34N50DM2AG
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
STB34N50DM2AG Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 100V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 190W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor D2PAK
Pacote / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB34N50DM2AG Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição STB34N50DM2AG-FT

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