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STMicroelectronics STB12NM60N-1

Name: STB12NM60N-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB12NM60N-1
Availability: InStock
Rating: 5.0 (150 reviews)

Número da peça MFG: STB12NM60N-1

Quantidade disponível: 40980 Peças

Preço de referência: USD 0

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fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: MDmesh™ II MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STB12NM60N-1.pdf

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STB12NM60N-1 Especificações

Número da peça de fabricante	STB12NM60N-1
Número da peça futura	FT-STB12NM60N-1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	MDmesh™ II
STB12NM60N-1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	410 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	30.5nC @ 10V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	90W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	I2PAK
Pacote / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB12NM60N-1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STB12NM60N-1-FT

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