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STMicroelectronics STB120N4F6

Name: STB120N4F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB120N4F6
Price: 1.2936 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (304 reviews)

Número da peça MFG: STB120N4F6

Quantidade disponível: 43290 Peças

Preço de referência: USD 1.2936

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STB120N4F6.pdf

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STB120N4F6 Especificações

Número da peça de fabricante	STB120N4F6
Número da peça futura	FT-STB120N4F6
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
STB120N4F6 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3850pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	110W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D2PAK
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB120N4F6 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STB120N4F6-FT

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