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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K411TU(TE85L,F

Name: SSM6K411TU(TE85L,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K411TU(TE85L,F
Availability: InStock
Rating: 4.9 (128 reviews)

Número da peça MFG: SSM6K411TU(TE85L,F

Quantidade disponível: 10560 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSIV MOSFET N-CH 20V 10A

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SSM6K411TU(TE85L,F.pdf

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SSM6K411TU(TE85L,F Especificações

Número da peça de fabricante	SSM6K411TU(TE85L,F
Número da peça futura	FT-SSM6K411TU(TE85L,F
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSIV
SSM6K411TU(TE85L,F Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	9.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1W (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	UF6
Pacote / caso	6-SMD, Flat Leads
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6K411TU(TE85L,F Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SSM6K411TU(TE85L,F-FT

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