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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE,LF

Name: SSM6K217FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K217FE,LF
Price: 0.0792 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (474 reviews)

Número da peça MFG: SSM6K217FE,LF

Quantidade disponível: 66500 Peças

Preço de referência: USD 0.0792

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSVII-H MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SSM6K217FE,LF.pdf

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SSM6K217FE,LF Especificações

Número da peça de fabricante	SSM6K217FE,LF
Número da peça futura	FT-SSM6K217FE,LF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSVII-H
SSM6K217FE,LF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	1.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195 mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	1.1nC @ 4.2V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	130pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	ES6
Pacote / caso	SOT-563, SOT-666
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6K217FE,LF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SSM6K217FE,LF-FT

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