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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J512NU,LF
- Número da peça MFG
- SSM6J512NU,LF
- Quantidade disponível
- 76350 Peças
- Preço de referência
- USD 0.10428
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição breve
- U-MOSVII MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- SSM6J512NU,LF.pdf
SSM6J512NU,LF Especificações
| Número da peça de fabricante | SSM6J512NU,LF |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-SSM6J512NU,LF |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | U-MOSVII |
| SSM6J512NU,LF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2 mOhm @ 4A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5nC @ 4.5V |
| Vgs (máx.) | ±10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 6V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.25W (Ta) |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-UDFNB (2x2) |
| Pacote / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SSM6J512NU,LF Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | SSM6J512NU,LF-FT |
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