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Toshiba Semiconductor and Storage SSM5G10TU(TE85L,F)

Name: SSM5G10TU(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM5G10TU(TE85L,F)
Availability: InStock
Rating: 4.8 (209 reviews)

Número da peça MFG: SSM5G10TU(TE85L,F)

Quantidade disponível: 85260 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSIII MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SSM5G10TU(TE85L,F).pdf

SSM5G10TU(TE85L,F) Especificações

Número da peça de fabricante	SSM5G10TU(TE85L,F)
Número da peça futura	FT-SSM5G10TU(TE85L,F)
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSIII
SSM5G10TU(TE85L,F) Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	1.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	213 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 4V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 10V
Recurso FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	UFV
Pacote / caso	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM5G10TU(TE85L,F) Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SSM5G10TU(TE85L,F)-FT

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