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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J36MFV,L3F

Name: SSM3J36MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J36MFV,L3F
Availability: InStock
Rating: 4.5 (273 reviews)

Número da peça MFG: SSM3J36MFV,L3F

Quantidade disponível: 18350 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSIII MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SSM3J36MFV,L3F.pdf

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SSM3J36MFV,L3F Especificações

Número da peça de fabricante	SSM3J36MFV,L3F
Número da peça futura	FT-SSM3J36MFV,L3F
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSIII
SSM3J36MFV,L3F Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	330mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	1.2nC @ 4V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	43pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	150mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	VESM
Pacote / caso	SOT-723
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3J36MFV,L3F Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SSM3J36MFV,L3F-FT

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