casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SS5P10-M3/86A
Número da peça de fabricante | SS5P10-M3/86A |
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Número da peça futura | FT-SS5P10-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | eSMP® |
SS5P10-M3/86A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 15µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 130pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-277A (SMPC) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS5P10-M3/86A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SS5P10-M3/86A-FT |
1N4148WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel