casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SS32HE3/9AT

| Número da peça de fabricante | SS32HE3/9AT |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-SS32HE3/9AT |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| SS32HE3/9AT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de Diodo | Schottky |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 3A |
| Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 20V |
| Capacitância @ Vr, F | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | DO-214AB, SMC |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AB (SMC) |
| Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 125°C |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SS32HE3/9AT Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | SS32HE3/9AT-FT |

ESH3BHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

ESH3BHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

ESH3BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

ESH3BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

ESH3C-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

ESH3C-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

ESH3C-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

ESH3C-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

ESH3CHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

ESH3CHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.

XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.

M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation

A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation

EP4SE360H29I3N
Intel

XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.

A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation

LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

EP2SGX60DF780C5N
Intel

EP1S40F1020I6N
Intel