casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SS315HM6G
Número da peça de fabricante | SS315HM6G |
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Número da peça futura | FT-SS315HM6G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
SS315HM6G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AB, SMC |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AB (SMC) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS315HM6G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SS315HM6G-FT |
SK36B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK510C R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK510C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK59C R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK810C R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK810C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS24 R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310 R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS320 R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS320 V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel