casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SS2H10HE3_A/I
Número da peça de fabricante | SS2H10HE3_A/I |
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Número da peça futura | FT-SS2H10HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
SS2H10HE3_A/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AA, SMB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS2H10HE3_A/I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SS2H10HE3_A/I-FT |
RS2A-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2A-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel