casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SS2FH10-M3/I
Número da peça de fabricante | SS2FH10-M3/I |
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Número da peça futura | FT-SS2FH10-M3/I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
SS2FH10-M3/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 860mV @ 2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS2FH10-M3/I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SS2FH10-M3/I-FT |
ES07D-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES07D-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES07D-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07B-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07B-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07B-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07D-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07D-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07G-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel