casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SS23SHE3_A/I

| Número da peça de fabricante | SS23SHE3_A/I |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-SS23SHE3_A/I |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| SS23SHE3_A/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo de Diodo | Schottky |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 2A |
| Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 30V |
| Capacitância @ Vr, F | 130pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
| Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SS23SHE3_A/I Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | SS23SHE3_A/I-FT |

ESH1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRA140TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS1AHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS1AHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS1B/11
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS1BHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS1BHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS1D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation

XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.

XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.

A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation

5SGXMA3K2F40I3N
Intel

5SEEBF45I3N
Intel

5SGXEA5K3F35I3N
Intel

XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.

XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.

LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation