casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SS215LHR3G
Número da peça de fabricante | SS215LHR3G |
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Número da peça futura | FT-SS215LHR3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
SS215LHR3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Sub SMA |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS215LHR3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SS215LHR3G-FT |
RS1BLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1GL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1GLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1JL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1JL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1JLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel