casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SS10PH10-M3/86A
Número da peça de fabricante | SS10PH10-M3/86A |
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Número da peça futura | FT-SS10PH10-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | eSMP® |
SS10PH10-M3/86A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 270pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-277A (SMPC) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS10PH10-M3/86A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SS10PH10-M3/86A-FT |
1N4151WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS170WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation