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Vishay Siliconix SQS966ENW-T1_GE3

Name: SQS966ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS966ENW-T1_GE3
Price: 0.342432 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (182 reviews)

Número da peça MFG: SQS966ENW-T1_GE3

Quantidade disponível: 39550 Peças

Preço de referência: USD 0.342432

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CHAN 60V

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SQS966ENW-T1_GE3.pdf

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SQS966ENW-T1_GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SQS966ENW-T1_GE3
Número da peça futura	FT-SQS966ENW-T1_GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQS966ENW-T1_GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	572pF @ 25V
Potência - Max	27.8W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	PowerPAK® 1212-8W
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerPAK® 1212-8W
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQS966ENW-T1_GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SQS966ENW-T1_GE3-FT

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