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Vishay Siliconix SQS415ENW-T1_GE3

Name: SQS415ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS415ENW-T1_GE3
Price: 0.372344 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (546 reviews)

Número da peça MFG: SQS415ENW-T1_GE3

Quantidade disponível: 87910 Peças

Preço de referência: USD 0.372344

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SQS415ENW-T1_GE3.pdf

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SQS415ENW-T1_GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SQS415ENW-T1_GE3
Número da peça futura	FT-SQS415ENW-T1_GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQS415ENW-T1_GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.1 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4825pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	62.5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerPAK® 1212-8W
Pacote / caso	PowerPAK® 1212-8W
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQS415ENW-T1_GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SQS415ENW-T1_GE3-FT

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