casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQP50N06-09L_GE3
Número da peça de fabricante | SQP50N06-09L_GE3 |
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Número da peça futura | FT-SQP50N06-09L_GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQP50N06-09L_GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3065pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 136W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQP50N06-09L_GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SQP50N06-09L_GE3-FT |
SIHG14N50D-E3
Vishay Siliconix
SIHG32N50D-E3
Vishay Siliconix
IRFPC60PBF
Vishay Siliconix
IRFP048PBF
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IRFP26N60LPBF
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IRFPF50PBF
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SIHG17N60D-GE3
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IRFP460LC
Vishay Siliconix
IRFPF50
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-6TG100I
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XA3S400A-4FTG256I
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A54SX72A-1FG484M
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A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel