casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQM120N02-1M3L_GE3
Número da peça de fabricante | SQM120N02-1M3L_GE3 |
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Número da peça futura | FT-SQM120N02-1M3L_GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQM120N02-1M3L_GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14500pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 375W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263 (D²Pak) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQM120N02-1M3L_GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SQM120N02-1M3L_GE3-FT |
SI7850ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7852DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7856ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7856ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7858BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7860ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7860ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7860DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7860DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7866ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel