casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SQJB00EP-T1_GE3
Número da peça de fabricante | SQJB00EP-T1_GE3 |
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Número da peça futura | FT-SQJB00EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJB00EP-T1_GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 25V |
Potência - Max | 48W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SO-8 Dual |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJB00EP-T1_GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SQJB00EP-T1_GE3-FT |
ALD1115PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110900APAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110900PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101APAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101BPAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102BPAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110902PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110904PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110908APAL
Advanced Linear Devices Inc.
XC2S200-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C3N
Intel
5AGXMA1D6F27C6N
Intel
XC2VP50-6FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel