casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SQJ956EP-T1_GE3
Número da peça de fabricante | SQJ956EP-T1_GE3 |
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Número da peça futura | FT-SQJ956EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ956EP-T1_GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.7 mOhm @ 5.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1395pF @ 30V |
Potência - Max | 34W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SO-8 Dual |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ956EP-T1_GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SQJ956EP-T1_GE3-FT |
ALD212904SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD212908ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD212908SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD212914SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD114904SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1116PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1117PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1115PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
LCMXO640C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
LFEC33E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N3F40I2SG
Intel