casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQ2318AES-T1_GE3
Número da peça de fabricante | SQ2318AES-T1_GE3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SQ2318AES-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ2318AES-T1_GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 555pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ2318AES-T1_GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SQ2318AES-T1_GE3-FT |
SI1469DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1470DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1470DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1471DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1471DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1472DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1473DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1473DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1480DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1488DH-T1-E3
Vishay Siliconix
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel