casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPP07N65C3HKSA1
Número da peça de fabricante | SPP07N65C3HKSA1 |
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Número da peça futura | FT-SPP07N65C3HKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
SPP07N65C3HKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 83W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3-1 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP07N65C3HKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SPP07N65C3HKSA1-FT |
IPP65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R150CFDAAKSA1
Infineon Technologies
IPP65R150CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R190C7FKSA1
Infineon Technologies
IPP65R190CFDAAKSA1
Infineon Technologies
IPP65R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R280E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R310CFDAAKSA1
Infineon Technologies
IPP65R380C6XKSA1
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel