casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPP02N80C3XKSA1
Número da peça de fabricante | SPP02N80C3XKSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SPP02N80C3XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
SPP02N80C3XKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 Ohm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 42W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP02N80C3XKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SPP02N80C3XKSA1-FT |
IPP60R520E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R600C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R600CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R600E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R600P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R750E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R950C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R074C6XKSA1
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel