casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPD07N60S5T
Número da peça de fabricante | SPD07N60S5T |
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Número da peça futura | FT-SPD07N60S5T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
SPD07N60S5T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 350µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 83W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD07N60S5T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SPD07N60S5T-FT |
IPD60R650CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD60R750E6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R750E6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R950C6
Infineon Technologies
IPD60R950C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD640N06LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD64CN10N G
Infineon Technologies
IPD65R190C7ATMA1
Infineon Technologies
IPD65R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD65R1K4C6ATMA1
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel