casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / SNSS20101JT1G
Número da peça de fabricante | SNSS20101JT1G |
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Número da peça futura | FT-SNSS20101JT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SNSS20101JT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 20V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 100mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
Potência - Max | 225mW |
Freqüência - Transição | 350MHz |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-89-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SNSS20101JT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SNSS20101JT1G-FT |
MMBT6427LT3
ON Semiconductor
MMBT6427LT3G
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MMBT6429LT1
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MMBT6517LT1G
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MMBT8099LT1
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LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
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M1A3P1000-2FGG484
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A3P1000-FG256
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LFE5UM-85F-7BG554I
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EP20K600EFC672-3
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5SGSED8K3F40C2LN
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EP3SE80F1152I3
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XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
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