casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / SM8S43AHE3_A/I
Número da peça de fabricante | SM8S43AHE3_A/I |
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Número da peça futura | FT-SM8S43AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S43AHE3_A/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | 1 |
Canais Bidirecionais | - |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 43V |
Tensão - Breakdown (Min) | 47.8V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | 69.4V |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | 95.1A |
Potência - Pulso de Pico | 6600W (6.6kW) |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | Automotive |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-218AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-218AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S43AHE3_A/I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SM8S43AHE3_A/I-FT |
SM8S12-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S13-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S13A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S13A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S13AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S13AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C5F256C8N
Intel
10AX027E4F27I3LG
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7V2000T-1FHG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C6N
Intel