casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / SM8S30AHE3/2D
Número da peça de fabricante | SM8S30AHE3/2D |
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Número da peça futura | FT-SM8S30AHE3/2D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S30AHE3/2D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | 1 |
Canais Bidirecionais | - |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 30V |
Tensão - Breakdown (Min) | 33.3V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | 48.4V |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | 136A |
Potência - Pulso de Pico | 6600W (6.6kW) |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | Automotive |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-218AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-218AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S30AHE3/2D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SM8S30AHE3/2D-FT |
SM6S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A35T-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXMA9N1F45C2LN
Intel
5SGXEA7K3F35C2LN
Intel
A1020B-2PL44C
Microsemi Corporation
XC4VLX25-10SFG363C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8N
Intel
EP1S80F1020C7N
Intel