casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / SM8S26HE3/2E
Número da peça de fabricante | SM8S26HE3/2E |
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Número da peça futura | FT-SM8S26HE3/2E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S26HE3/2E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | 1 |
Canais Bidirecionais | - |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 26V |
Tensão - Breakdown (Min) | 28.9V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | 46.6V |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | 142A |
Potência - Pulso de Pico | 6600W (6.6kW) |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | Automotive |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-218AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-218AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S26HE3/2E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SM8S26HE3/2E-FT |
SM6S24AHE3J_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K10ATC144-1
Intel
XC6SLX100T-2FGG900C
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQ100C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256A
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
ICE40UP5K-UWG30ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C5U256C7
Intel
10M50DCF672C7G
Intel
XC4013XL-2BG256C
Xilinx Inc.
EP4SGX230HF35C4
Intel