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Vishay Siliconix SISH410DN-T1-GE3

Name: SISH410DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH410DN-T1-GE3
Price: 0.408032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (45 reviews)

Número da peça MFG: SISH410DN-T1-GE3

Quantidade disponível: 24150 Peças

Preço de referência: USD 0.408032

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fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SISH410DN-T1-GE3.pdf

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SISH410DN-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SISH410DN-T1-GE3
Número da peça futura	FT-SISH410DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET®
SISH410DN-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	22A (Ta), 35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerPAK® 1212-8SH
Pacote / caso	PowerPAK® 1212-8SH
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISH410DN-T1-GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SISH410DN-T1-GE3-FT

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