casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SISC050N10DX1SA1
Número da peça de fabricante | SISC050N10DX1SA1 |
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Número da peça futura | FT-SISC050N10DX1SA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SISC050N10DX1SA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | - |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | - |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Pacote / caso | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISC050N10DX1SA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SISC050N10DX1SA1-FT |
RJK5015DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-01#J2
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-02#J2
Renesas Electronics America
RJK5031DPD-01#J2
Renesas Electronics America
RJK6002DPD-WS#J2
Renesas Electronics America
RJK6011DJE-00#Z0
Renesas Electronics America
RJK6013DPE-WS#J3
Renesas Electronics America
RJK6024DPH-E0#T2
Renesas Electronics America
RJL6013DPE-WS#J3
Renesas Electronics America
RJL6018DPK-00#T0
Renesas Electronics America
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel