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Vishay Siliconix SISA88DN-T1-GE3

Name: SISA88DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISA88DN-T1-GE3
Price: 0.166064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (224 reviews)

Número da peça MFG: SISA88DN-T1-GE3

Quantidade disponível: 74560 Peças

Preço de referência: USD 0.166064

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SISA88DN-T1-GE3.pdf

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SISA88DN-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SISA88DN-T1-GE3
Número da peça futura	FT-SISA88DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET® Gen IV
SISA88DN-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	25.5nC @ 10V
Vgs (máx.)	+20V, -16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	985pF @ 15V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerPAK® 1212-8
Pacote / caso	PowerPAK® 1212-8
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISA88DN-T1-GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SISA88DN-T1-GE3-FT

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