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Vishay Siliconix SISA26DN-T1-GE3

Name: SISA26DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISA26DN-T1-GE3
Price: 0.270512 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (329 reviews)

Número da peça MFG: SISA26DN-T1-GE3

Quantidade disponível: 36890 Peças

Preço de referência: USD 0.270512

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SISA26DN-T1-GE3.pdf

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SISA26DN-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SISA26DN-T1-GE3
Número da peça futura	FT-SISA26DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET® Gen IV
SISA26DN-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V
Vgs (máx.)	+16V, -12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2247pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	39W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Pacote / caso	PowerPAK® 1212-8S
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISA26DN-T1-GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SISA26DN-T1-GE3-FT

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