casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SIS902DN-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIS902DN-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIS902DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIS902DN-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 75V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 186 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 38V |
Potência - Max | 15.4W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® 1212-8 Dual |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIS902DN-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIS902DN-T1-GE3-FT |
SI5903DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5903DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5904DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5904DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5905BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5905BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5905DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5905DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5915BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5915BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
AGLN015V2-QNG68
Microsemi Corporation
XC2VP70-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ176M
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35F672C7
Intel
EP4CE40U19I7N
Intel
5SEEBH40I2N
Intel
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation