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Vishay Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3

Name: SIS612EDNT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS612EDNT-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 4.9 (97 reviews)

Número da peça MFG: SIS612EDNT-T1-GE3

Quantidade disponível: 38040 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SIS612EDNT-T1-GE3.pdf

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SIS612EDNT-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SIS612EDNT-T1-GE3
Número da peça futura	FT-SIS612EDNT-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET®
SIS612EDNT-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2060pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Pacote / caso	PowerPAK® 1212-8S
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIS612EDNT-T1-GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SIS612EDNT-T1-GE3-FT

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