casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIS439DNT-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIS439DNT-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIS439DNT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIS439DNT-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2135pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) |
Temperatura de operação | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Pacote / caso | PowerPAK® 1212-8S |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIS439DNT-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIS439DNT-T1-GE3-FT |
SIHG17N60D-GE3
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Xilinx Inc.
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5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation