casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIR870ADP-T1-RE3
Número da peça de fabricante | SIR870ADP-T1-RE3 |
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Número da peça futura | FT-SIR870ADP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIR870ADP-T1-RE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2866pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 104W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SO-8 |
Pacote / caso | PowerPAK® SO-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR870ADP-T1-RE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIR870ADP-T1-RE3-FT |
RJK2557DPA-WS#J0
Renesas Electronics America
RJK4006DPD-WS#J2
Renesas Electronics America
RJK4532DPD-E0#J2
Renesas Electronics America
RJK5006DPD-WS#J2
Renesas Electronics America
RJK5015DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-01#J2
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-02#J2
Renesas Electronics America
RJK5031DPD-01#J2
Renesas Electronics America
RJK6002DPD-WS#J2
Renesas Electronics America
RJK6011DJE-00#Z0
Renesas Electronics America
XC7A15T-2FTG256C
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XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
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M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
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XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel