casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIR802DP-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIR802DP-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIR802DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIR802DP-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1785pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 4.6W (Ta), 27.7W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SO-8 |
Pacote / caso | PowerPAK® SO-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR802DP-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIR802DP-T1-GE3-FT |
SI7454CDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7454DDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7456CDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7456DDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7457DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7457DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7459DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7459DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7462DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7462DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel