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Vishay Siliconix SIR664DP-T1-GE3

Número da peça MFG
SIR664DP-T1-GE3
Quantidade disponível
35770 Peças
Preço de referência
USD 0.432176
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Data de envio
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fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
TrenchFET® MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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SIR664DP-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante SIR664DP-T1-GE3
Número da peça futura FT-SIR664DP-T1-GE3
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series TrenchFET®
SIR664DP-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Vgs (máx.) -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1750pF @ 30V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) -
Temperatura de operação -
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PowerPAK® SO-8
Pacote / caso PowerPAK® SO-8
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIR664DP-T1-GE3 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição SIR664DP-T1-GE3-FT

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