casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIR182DP-T1-RE3
Número da peça de fabricante | SIR182DP-T1-RE3 |
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Número da peça futura | FT-SIR182DP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® Gen IV |
SIR182DP-T1-RE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3250pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 69.4W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SO-8 |
Pacote / caso | PowerPAK® SO-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR182DP-T1-RE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIR182DP-T1-RE3-FT |
SI7850DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7336ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7478DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7846DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7850DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR410DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7141DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7450DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7469DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR426DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
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XCS05-3PC84C
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XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
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EPF10K30RC240-4N
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EP1S60F1020C5N
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