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Vishay Siliconix SIHU7N60E-GE3

Número da peça MFG
SIHU7N60E-GE3
Quantidade disponível
81420 Peças
Preço de referência
USD 0.70092
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
- MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
SIHU7N60E-GE3.pdf
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SIHU7N60E-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante SIHU7N60E-GE3
Número da peça futura FT-SIHU7N60E-GE3
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
SIHU7N60E-GE3 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 100V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 78W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor I-PAK
Pacote / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHU7N60E-GE3 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição SIHU7N60E-GE3-FT

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