casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHU3N50DA-GE3
Número da peça de fabricante | SIHU3N50DA-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIHU3N50DA-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SIHU3N50DA-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 177pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 69W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | IPAK (TO-251) |
Pacote / caso | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHU3N50DA-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIHU3N50DA-GE3-FT |
DMTH10H010SCT
Diodes Incorporated
DMTH10H025LK3Q-13
Diodes Incorporated
FDMC010N08LC
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FDMS004N08C
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FDMS007N08LC
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FDMS2D5N08C
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FDMS4D4N08C
ON Semiconductor
N0434N-S23-AY
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N0602N-S19-AY
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N0603N-S23-AY
Renesas Electronics America
XC2V250-5FG256I
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M2GL050-FGG484I
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A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
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XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel