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Vishay Siliconix SIHP30N60E-GE3

Número da peça MFG
SIHP30N60E-GE3
Quantidade disponível
13060 Peças
Preço de referência
USD 5.296
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Data de envio
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fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
E MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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SIHP30N60E-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante SIHP30N60E-GE3
Número da peça futura FT-SIHP30N60E-GE3
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series E
SIHP30N60E-GE3 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 29A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 100V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 250W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor -
Pacote / caso TO-220-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHP30N60E-GE3 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição SIHP30N60E-GE3-FT

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