casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHG22N60E-E3
Número da peça de fabricante | SIHG22N60E-E3 |
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Número da peça futura | FT-SIHG22N60E-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SIHG22N60E-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 227W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AC |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHG22N60E-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIHG22N60E-E3-FT |
SUD50N03-12P-GE3
Vishay Siliconix
SUD50N03-16P-E3
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SUD50N03-16P-GE3
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SUD50N04-16P-E3
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SUD50N06-07L-E3
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SUD50N06-07L-GE3
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SUD50N10-18P-E3
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A54SX32-TQG144I
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XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
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A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
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AGLP060V5-CS289
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A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
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10AX115N3F40I3SGES
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