casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHB30N60E-GE3
Número da peça de fabricante | SIHB30N60E-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIHB30N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SIHB30N60E-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHB30N60E-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIHB30N60E-GE3-FT |
IRFBC30STRR
Vishay Siliconix
IRFBC40AS
Vishay Siliconix
IRFBC40ASTRL
Vishay Siliconix
IRFBC40ASTRR
Vishay Siliconix
IRFBC40LCS
Vishay Siliconix
IRFBC40LCSTRL
Vishay Siliconix
IRFBC40LCSTRR
Vishay Siliconix
IRFBC40S
Vishay Siliconix
IRFBC40STRL
Vishay Siliconix
IRFBC40STRR
Vishay Siliconix
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel