casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHB24N65EF-GE3
Número da peça de fabricante | SIHB24N65EF-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIHB24N65EF-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | E |
SIHB24N65EF-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2774pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHB24N65EF-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIHB24N65EF-GE3-FT |
SI7790DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7792DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7794DP-T1-GE3
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SI7840BDP-T1-E3
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SI7848DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7850ADP-T1-GE3
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SI7852DP-T1-GE3
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SI7856ADP-T1-E3
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SI7856ADP-T1-GE3
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SI7858BDP-T1-GE3
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