casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHA18N60E-E3
Número da peça de fabricante | SIHA18N60E-E3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SIHA18N60E-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | E |
SIHA18N60E-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 202 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 34W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220 Full Pack |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHA18N60E-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIHA18N60E-E3-FT |
SQ3419EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3419EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ3426EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3427EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3427EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ3442EV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3460EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ3469EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIHH20N50E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5419DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel